MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 (DMN3051LDM-7)
Part Number: DMN3051LDM-7
Documents / Media: datasheets DMN3051LDM-7
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 424pF @ 5V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 900mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-26
- Корпус: SOT-23-6
Цена по запросу