MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 (DMJ70H1D3SH3)
Part Number: DMJ70H1D3SH3
Documents / Media: datasheets DMJ70H1D3SH3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 700V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 351pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 41W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-251
- Корпус: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Цена по запросу