MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 (DMN3190LDW-13)
Part Number: DMN3190LDW-13
Documents / Media: datasheets DMN3190LDW-13
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 87pF @ 20V
- Мощность: 320mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: SOT-363
5 р.