MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP (DMN2016UTS-13)
Part Number: DMN2016UTS-13
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8.58A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1495pF @ 10V
- Мощность: 880mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-TSSOP
Цена по запросу