![MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN](/site/images/not_found.jpg?553970671)
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN (DMN2014LHAB-7)
Part Number: DMN2014LHAB-7
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 10V
- Мощность: 800mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-UFDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: U-DFN2030-6 (Type B)
13 р.