MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 (DMG6602SVTQ-7)
Part Number: DMG6602SVTQ-7
Documents / Media: datasheets DMG6602SVTQ-7
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
- Мощность: 840mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Исполнение корпуса: TSOT-26
7 р.