![MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT](/site/images/not_found.jpg?266923982)
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT (DMG6601LVT-7)
Part Number: DMG6601LVT-7
Documents / Media: datasheets DMG6601LVT-7
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 422pF @ 15V
- Мощность: 850mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Исполнение корпуса: TSOT-26
6 р.