IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA (CYD18S18V18-200BBAXI)
Part Number: CYD18S18V18-200BBAXI
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 3.3ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 256-LBGA
- Исполнение корпуса: 256-FBGA (17x17)
Цена по запросу