IC SRAM 4M PARALLEL (CY62147GN18-55BVXI)
Part Number: CY62147GN18-55BVXI
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: MoBL®
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
- Время доступа: 55ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.65 V ~ 2.2 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 48-VFBGA
- Исполнение корпуса: 48-VFBGA (6x8)
Цена по запросу