IC NVSRAM 4M PARALLEL (CY14B104NA-ZS45XET)
Part Number: CY14B104NA-ZS45XET
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: NVSRAM
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
- Время доступа: 45ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 44-TSOP II
Цена по запросу