E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC (E3M0120090D)
Part Number: E3M0120090D
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Automotive, AEC-Q101, E
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 900V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.3nC @ 15V
- Vgs (Max): +18V, -8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 350pF @ 600V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 97W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247-3
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу