RF MOSFET HEMT 40V 12DFN (CGHV1F025S)
Part Number: CGHV1F025S
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: GaN
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: HEMT
- Частота: 6GHz
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 40V
- Токовая нагрузка: 2A
- Noise Figure: -
- Тестовый ток: 150mA
- Выходная мощность: 29W
- Нормальное напряжение: 100V
- Корпус: 12-VFDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: 12-DFN (4x3)
Цена по запросу