RF MOSFET HEMT 40V 12DFN (CGHV1F006S)

Part Number: CGHV1F006S


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: GaN
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: HEMT
  • Частота: 6GHz
  • Усиление: 16dB
  • Voltage - Test: 40V
  • Токовая нагрузка: 950mA
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 60mA
  • Выходная мощность: 8W
  • Нормальное напряжение: 100V
  • Корпус: 12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 12-DFN (4x3)

Цена по запросу