RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP (CGH40006S)
Part Number: CGH40006S
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: GaN
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: HEMT
- Частота: 0Hz ~ 6GHz
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 28V
- Токовая нагрузка: -
- Noise Figure: -
- Тестовый ток: 100mA
- Выходная мощность: 8W
- Нормальное напряжение: 84V
- Корпус: 6-VDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: 6-QFN-EP (3x3)
Цена по запросу