DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO (CDBJSC3650-G)

Part Number: CDBJSC3650-G


Documents / Media: datasheets CDBJSC3650-G


Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
  • Прямой ток (If) (Max): 3A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 3A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100µA @ 650V
  • Емкость @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-2 Full Pack
  • Исполнение корпуса: TO-220F
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

Цена по запросу