DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER (CDBGBSC20650-G)
Part Number: CDBGBSC20650-G
Documents / Media: datasheets CDBGBSC20650-G
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 33A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100µA @ 650V
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247-3
- Исполнение корпуса: TO-247
Цена по запросу