RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B (BLF6G10LS-200RN:11)
Part Number: BLF6G10LS-200RN:11
Documents / Media: datasheets BLF6G10LS-200RN:11
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: LDMOS
- Частота: 871.5MHz ~ 891.5MHz
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 28V
- Токовая нагрузка: 49A
- Noise Figure: -
- Тестовый ток: 1.4A
- Выходная мощность: 40W
- Нормальное напряжение: 65V
- Корпус: SOT-502B
- Исполнение корпуса: SOT502B
Цена по запросу