MOSFET N-CH 600V 12A TO262F (AOWF12T60P)
Part Number: AOWF12T60P
Documents / Media: datasheets AOWF12T60P
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2028pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 28W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-262F
- Корпус: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Цена по запросу