MOSFET N-CH 650V 10A TO262 (AOW10N65)
Part Number: AOW10N65
Documents / Media: datasheets AOW10N65
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1645pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-262
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу