MOSFET N-CH DFN (AON7416_101)
Part Number: AON7416_101
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 25W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Корпус: 8-VDFN Exposed Pad
Цена по запросу