MOSFET N-CH (AON6560)
Part Number: AON6560
Documents / Media: datasheets AON6560
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 84A (Ta), 200A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 325nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11500pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6)
- Корпус: 8-PowerSMD, Flat Leads
Цена по запросу