MOSFET N-CH TO252 (AOD3N50_003)
Part Number: AOD3N50_003
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 331pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 57W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу