MOSFET N-CH 600V 2A TO252 (AOD2N60)
Part Number: AOD2N60
Documents / Media: datasheets AOD2N60
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 56.8W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу