IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II (AS6C4016-55ZIN)
Part Number: AS6C4016-55ZIN
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
- Время доступа: 55ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.7 V ~ 5.5 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 44-TSOP II
4 р.