IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA (AS4C64M8D1-5BCN)
Part Number: AS4C64M8D1-5BCN
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 700ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-FBGA (8x13)
Цена по запросу