IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA (AS4C512M8D3B-12BANTR)
Part Number: AS4C512M8D3B-12BANTR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Состояние детали: Preliminary
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR3
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Скорость: 800MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 20ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.425 V ~ 1.575 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 78-VFBGA
- Исполнение корпуса: 78-FBGA (10.5x9)
Цена по запросу