IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP (AS4C4M16SA-6TAN)
Part Number: AS4C4M16SA-6TAN
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Скорость: 166MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
- Время доступа: 5.4ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 54-TSOP II
Цена по запросу