MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP (ALD1115PAL)
Part Number: ALD1115PAL
Documents / Media: datasheets ALD1115PAL
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel Complementary
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 10.6V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3pF @ 5V
- Мощность: 500mW
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Исполнение корпуса: 8-PDIP
Цена по запросу