Silicon Labs
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW (SI8261BBC-C-IPR)
Part Number: SI8261BBC-C-IPR
Documents / Media: datasheets SI8261BBC-C-IPR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Состояние детали: Active
- Технология: Capacitive Coupling
- Количество каналов: 1
- Изоляционное напряжение: 3750Vrms
- Помехоустойчивость (Мин): 35kV/µs
- Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс): 60ns, 50ns
- Искажение длительности импульса (Макс): 28ns
- Время нарастания / Время затухания (Номинальное): 5.5ns, 8.5ns
- Ток выхода высокий уровень, низкий уровень: 500mA, 1.2A
- Повторяющийся импульсный ток: 4A
- Прямое напряжение (Vf): 2.8V (Max)
- Прямой ток (If) (Max): 30mA
- Напряжение питания: 9.4 V ~ 30 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Gull Wing
- Исполнение корпуса: 8-DIP Gull Wing
- Омологация: CQC, CSA, UR, VDE
Цена по запросу