IC DVR IGBT/MOSFET

IC DVR IGBT/MOSFET (BS2100F-E2)

Part Number: BS2100F-E2

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Конфигурация: Half-Bridge
  • Тип канала: Independent
  • Число драйверов: 2
  • Тип затвора: N-Channel MOSFET
  • Напряжение питания: 10 V ~ 18 V
  • Логическое напряжение (VIL, VIH): 1V, 2.6V
  • Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
  • Тип входа: Non-Inverting
  • Максимальное напряжение: 600V
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное): 200ns, 100ns
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SOP

Цена по запросу