2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT (IXDI602SITR)

Part Number: IXDI602SITR

Documents / Media: datasheets IXDI602SITR

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Конфигурация: Low-Side
  • Тип канала: Independent
  • Число драйверов: 2
  • Тип затвора: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • Напряжение питания: 4.5 V ~ 35 V
  • Логическое напряжение (VIL, VIH): 0.8V, 3V
  • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
  • Тип входа: Inverting
  • Максимальное напряжение: -
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное): 7.5ns, 6.5ns
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 8-SOIC-EP

Цена по запросу