200 V GAN IC FET DRIVER (EPC2112ENGRT)

Part Number: EPC2112ENGRT


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Конфигурация выхода: High Side
  • Применение: DC-DC Converters
  • Интерфейс: On/Off
  • Тип нагрузки: Inductive
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Сопротивление Rds On (Номинальное): 32 mOhm
  • Выходной ток на канал: 10A
  • Повторяющийся импульсный ток: 40A
  • Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
  • Напряжение нагрузки: 4.5 V ~ 5.5 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Особенности: -
  • Защита от отказов: -
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 10-XFBGA
  • Исполнение корпуса: 10-BGA (2.9x1.1)

Цена по запросу