IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA (W979H6KBVX2E)

Part Number: W979H6KBVX2E

Documents / Media: datasheets W979H6KBVX2E

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tray Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
  • Скорость: 400MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: -
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
  • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 134-VFBGA
  • Исполнение корпуса: 134-VFBGA (10x11.5)

Цена по запросу