Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II (W9412G6KH-5I)
Part Number: W9412G6KH-5I
Documents / Media: datasheets W9412G6KH-5I
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 50ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 66-TSOP II
Цена по запросу