Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA (TH58NYG3S0HBAI6)
Part Number: TH58NYG3S0HBAI6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: Flash
- Технология: FLASH - NAND (SLC)
- Объем памяти: 8Gb (1G x 8)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
- Время доступа: 25ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 67-VFBGA
- Исполнение корпуса: 67-VFBGA (6.5x8)
Цена по запросу