Texas Instruments
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP (BQ4011YMA-150N)
Part Number: BQ4011YMA-150N
Documents / Media: datasheets BQ4011YMA-150N
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: NVSRAM
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
- Время доступа: 150ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
- Исполнение корпуса: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Цена по запросу