Renesas Electronics America
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II (RMLV0408EGSB-4S2#AA1)
Part Number: RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
- Время доступа: 45ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 32-TSOP II
3 р.