IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II (HYB25D512800CE-6)

Part Number: HYB25D512800CE-6

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR
  • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
  • Скорость: 166MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Время доступа: -
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса: 66-TSOP II

Цена по запросу