IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ (MT46V128M4CY-5B:J)

Part Number: MT46V128M4CY-5B:J

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR
  • Объем памяти: 512Mb (128M x 4)
  • Скорость: 200MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 700ps
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа: -
  • Корпус: -
  • Исполнение корпуса: -

Цена по запросу