IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ (EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D)

Part Number: EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
  • Скорость: 533MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Время доступа: -
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Вид монтажа: -
  • Корпус: -
  • Исполнение корпуса: -

1029 р.