Micron Technology
IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA (EDB4064B3PB-8D-F-D)
Part Number: EDB4064B3PB-8D-F-D
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Объем памяти: 4Gb (64M x 64)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 216-WFBGA
- Исполнение корпуса: 216-FBGA (12x12)
Цена по запросу