Micron Technology
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA (MT47H256M8EB-25E:C)
Part Number: MT47H256M8EB-25E:C
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 2Gb (256M x 8)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 400ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-FBGA (9x11.5)
13 р.