IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ (MT47H512M4THN-25E:M)

Part Number: MT47H512M4THN-25E:M

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR2
  • Объем памяти: 2Gb (512M x 4)
  • Скорость: 400MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 400ps
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Вид монтажа: -
  • Корпус: -
  • Исполнение корпуса: -

Цена по запросу