Micron Technology
IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ (MT44K64M18RB-083E:A)
Part Number: MT44K64M18RB-083E:A
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: DRAM
- Объем памяти: 1.125Gb (64Mb x 18)
- Скорость: 1200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 7.5ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.28 V ~ 1.42 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу