IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP (DS1230W-100+)

Part Number: DS1230W-100+

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Non-Volatile
  • Тип памяти: NVSRAM
  • Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
  • Скорость: -
  • Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
  • Время доступа: 100ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Исполнение корпуса: 28-EDIP

1981 р.