Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA (IS61LPS25636A-200B2I)
Part Number: IS61LPS25636A-200B2I
Documents / Media: datasheets IS61LPS25636A-200B2I
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Synchronous
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 3.1ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 119-BBGA
- Исполнение корпуса: 119-PBGA (14x22)
Цена по запросу