Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC SRAM 4M PARALLEL (IS62WV25616EALL-55BLI)
Part Number: IS62WV25616EALL-55BLI
Documents / Media: datasheets IS62WV25616EALL-55BLI
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
- Время доступа: 55ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.65 V ~ 2.2 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу