Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC SRAM 4.5M PARALLEL 200MHZ (IS61LPS12836EC-200B3LI)
Part Number: IS61LPS12836EC-200B3LI
Documents / Media: datasheets IS61LPS12836EC-200B3LI
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Synchronous
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 3.1ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу