Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA (IS42RM32160E-75BLI-TR)
Part Number: IS42RM32160E-75BLI-TR
Documents / Media: datasheets IS42RM32160E-75BLI-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile
- Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
- Скорость: 133MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 6ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 3 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 90-TFBGA
- Исполнение корпуса: 90-TFBGA (8x13)
Цена по запросу