Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA (IS43DR86400D-3DBLI-TR)
Part Number: IS43DR86400D-3DBLI-TR
Documents / Media: datasheets IS43DR86400D-3DBLI-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 333MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 450ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-TWBGA (8x10.5)
Цена по запросу